据ETNews报说念，苹果公司正在斥地多项技能翻新以记挂 iPhone 降生 20 周年，而其正在琢磨的一项关节技能是移动高带宽内存 (HBM)。HBM 是一种 DRAM，它将内存芯片垂直堆叠，并通过称为“硅通孔 (TSV)”的小型垂直互连技能贯串起来，从而显赫擢升信号传输速率。 HBM 现在主要用于 AI 干事器，由于大要与 GPU 协同相沿 AI 处理，因此频频被称为 AI 内存。 顾名念念义，移动 HBM 是移动诞生技能的一种变体，旨在提供极高的数据混沌量，同期最大按捺地裁汰功耗和 RA
据ETNews报说念，苹果公司正在斥地多项技能翻新以记挂 iPhone 降生 20 周年，而其正在琢磨的一项关节技能是移动高带宽内存 (HBM)。HBM 是一种 DRAM，它将内存芯片垂直堆叠，并通过称为“硅通孔 (TSV)”的小型垂直互连技能贯串起来，从而显赫擢升信号传输速率。
HBM 现在主要用于 AI 干事器，由于大要与 GPU 协同相沿 AI 处理，因此频频被称为 AI 内存。
顾名念念义，移动 HBM 是移动诞生技能的一种变体，旨在提供极高的数据混沌量，同期最大按捺地裁汰功耗和 RAM 芯片的物理占用空间。苹果正在寻求增强诞生上的 AI 功能，据ETNews报说念，将移动 HBM 贯串到 iPhone 的 GPU 单位被以为是达成这一诡计的有劲候选决议。
该技能可能是在诞生上驱动大范畴东说念主工智能模子的关节，举例大型说话模子推理或高等视觉任务，而不会破钞电板或增多蔓延。
报说念指出，苹果可能仍是与三星电子和 SK 海力士等主要内存供应经营论了其辩论，这两家公司王人在斥地我方的移动 HBM 版块。
据报说念，三星正在使用一种名为 VCS（垂直铜柱堆叠）的封装体式，而 SK 海力士正在研究一种名为 VFO（垂直线扇出）的封装体式。两家公司王人辩论在 2026 年后达成量产。
不外，制造方面依然存在挑战。移动HBM的制酿老本远高于现在的LPDDR内存。在iPhone等玩忽诞生中，它还可能靠近散热遗弃，何况3D堆叠和TSV技能需要高度复杂的封装和良率搞定。
若是苹果如确实其 2027 年 iPhone 系列中领受这项技能，这将是该公司打破其 20 周年记挂版 iPhone 极限的又一例证，据传这款 iPhone 将领受统统恢弘框的清晰屏开yun体育网，环绕诞生的悉数四个边际逶迤。
